RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3279
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link