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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3063
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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