RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3095
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link