RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2740
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link