RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3234
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link