RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3779
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link