RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3635
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link