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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2307
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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