RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2512
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link