RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3322
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link