RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.8
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
8.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2083
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link