RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2434
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link