RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2635
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link