RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3112
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link