RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2844
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link