RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2786
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link