RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2349
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link