RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
63
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
63
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2061
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link