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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
46
Autour de -142% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3290
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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