RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3805
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link