Comparaison de la RAM AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Note globale

AMD R5316G1609U2K 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
AMD R5316G1609U2K 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

73 86

Autour de 15% latence réduite

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.1 6.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

5.7 5.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

AMD R5316G1609U2K 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1309 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns