RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Comparez
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Note globale
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Note globale
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
2026
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link