RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
38
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
38
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2638
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link