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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
21
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
21
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
3202
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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