RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
35
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
35
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2488
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link