RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
57
Autour de 54% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
57
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2634
2377
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link