RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
3448
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link