RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparez
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Note globale
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
2483
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link