Comparaison de la RAM AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 15.4

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 9.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2581 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns