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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
2808
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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