RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
2672
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link