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AMD R748G2606U2S 8GB
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AMD R748G2606U2S 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
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AMD R748G2606U2S 8GB
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Liste complète des spécifications techniques
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
61
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2028
2028
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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