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AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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AMD R7S48G2400U2S 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
61
74
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
61
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1774
2028
AMD R7S48G2400U2S 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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