RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2050
2466
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link