RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
3547
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link