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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
47
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
19200
Autour de 1.22 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
23400
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
2709
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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