RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
47
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
2693
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link