RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
50
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
50
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
2386
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link