RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
26
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3088
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link