RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3529
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link