RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2566
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link