RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2430
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link