RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3147
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link