RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3723
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link