RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3937
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link