RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2356
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link