RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
73
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
73
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
1853
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link