RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
94
Autour de 72% latence réduite
Raisons de considérer
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
94
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2771
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link