RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2998
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link