RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2430
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link