RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Super Talent F21UB8GS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Super Talent F21UB8GS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2200
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link